Datasheet IRF640
Thông số kỹ thuật ;
Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF840 có công suất là 125W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi
Điện áp đánh thủng là 500v
Điện áp VGS=+/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 8a
Nhiệt độ hoạt động :-55°c~150°c
Công suất 125w